在中化天康芯片研发中心,戴和根现场参观了SOI压力敏感芯片及MEMS压力传感器的研发产线,深入了解了中化天康芯片研发情况,听取了中化天康关于研发成果的汇报,对中化天康成立以来所取得的成绩给予了充分肯定,并就下一步工作提出要求。
戴和根强调,中化天康芯片研发取得了阶段性成果,在加强突破与延伸的基础上,要提前做好市场规划,加强知识产权保护,积极与资本市场对接,持续推动公司高质量新发展。